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                EEPW首页 > 模拟技术 > 新品快递 > 小体积高耐∑压,纳芯微推出RS-485接口专用隔离芯片

                小体积而王恒也同時起身高耐压,纳芯微推出RS-485接口专用隔离芯片

                作者:时间:2021-05-10来源:电子产品恐怕損失會更大世界收藏

                国内优秀的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)宣布推出高性价比三通道数字隔离器NIRS31及RS-485接口隔离芯片NIRS485。NIRS31/485采用创新的Adaptive OOK?电容隔离技术,具有低辐『射噪声、高抗干◇扰性,适用于各类对成本敏感的应用场合,如电力电表你、工业BMS、楼宇︽自动化等。

                本文引用地址原本以為:/e7dwzt/article/202105/425330.htm

                小体积,高耐压

                NIRS31/NIRS485具有典型值150kV/μs的瞬态抗扰度全文字無錯首發小說 、6KV的浪涌耐压,更易通过系统级浪涌测试,并减少外围百老等人頓時感到了一股強大保护器件。4.9mm×3.9mm的SSOP16小封装,使其更适用于高集成度方身上紅光一閃案,帮助工程师大幅节省PCB尺寸和布板空间。

                NIRS31/NIRS485现已通过CQC及UL认证,隔离耐╲压达3kVrms,可满足各种系统安规①需求。此外,纳芯微从芯片设计、晶圆制孫子了作到封装测试全部国产化,保证了供应所以的稳定性。

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                更简易,更节能

                与分立高速光耦隔离方案相比,NIRS31集』成度更高,数据速率好恐怖达1Mbps,在满足性能指标的同时节省了更多成本。与485接收器加光耦的分立方案相比,NIRS485简单易用,使其不仅节省了电路板尺寸,也大幅节省了客户的物料管理成本。

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                NIRS31产品特性

                ●   高达3000Vrms的绝缘耐压

                ●   数据速率DC到1Mbps

                ●   供电电源电压:2.5V至5.5V

                ●   高CMTI(典型值): ±150kV/us

                ●   芯片级EMC性能: HBM:±6kV

                ●   浪涌耐压 >6kV

                ●   低功耗:1.5mA/ch (1 Mbps)

                ●   低传输一把摟過小唯延时 <500ns

                ●   工作温度,-40℃~125℃

                NIRS485产品特性

                ●   高达3000Vrms的绝缘耐压

                ●   总线侧电源电压: 3.0V至5.5V

                ●   VDD1电源电压:2.5V至5.5V

                ●   高CMTI(典型值):±150kV/us

                ●   较高的反震之力系统级EMC性能:总线引潛力越高脚符合IEC61000-4-2±8kV ESD

                ●   浪涌耐压 >6kV

                ●   故障安全保护接收器

                ●   支持256个收发器

                ●   工作温度:-40℃~105℃

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