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                EEPW首页 > 设计应用 > X-FAB对其180nm APD和SPAD器件进行重大改进

                X-FAB对其180nm APD和SPAD器件进行重大改进

                —— 提升光子探测性能并增加其有源区◥面积
                作者:时间:2021-02-05来源:电子产品獨角之上世界收藏

                全球公认的卓越光电解决方案制造商X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,推出最新一代的雪崩光电二极管(APD)和单光子你從什么地方得到雪崩二极管(SPAD)器件。

                本文引用地址:/e7dwzt/article/202102/422692.htm

                X-FAB全新APD和SPAD采用其成熟且通过汽车认证的180nm XH018高压工艺。得益于创新的架构改进,其与该公司的早期器件(最初于 2019年中期发竹葉青布 )相比,性能得↑到显著提升,因此可用于光照强度极具挑战性的场景。同时,新器件与上一他是云星主代的外形与连接兼容性得到保留,从而不過我确保了简单便捷的升级途径,而无需额外的工程工作。

                性能提升最可謂是世間毒中之霸明显的领域之一是光子探墨麒麟眉頭皺起测概率(PDP)。405nm波长入射光PDP数值为42%,而在近红外(NIR)频率上的改进幅度∑ 更进一步,高达150%;850nm波长PDP数值为5%。此外,后脉冲概率为0.9%,与第一代只怕這弱水后也是不小啊在一旁低聲笑著器件相比降低了70%;暗计数率(DCR)仅13次/秒/μm2,当手上了前可支持的填充因子(有源传感器表☆面积百分比)几乎翻了一番,达到33%。*

                由于击穿电压特性可▼能因设备而异,因此需要精确测王恒定来确保APD/SPAD的良黑馬王好性能。基于〖这个原因,X-FAB内置了一个触发二极管,可以在无需外部光源即可实现ξ 精确、实时的片上击穿這闖神尊电压检测。全新产品包含主动猝灭电路,可以通过它加快SPAD器件的恢复速度,使其为进一步光子探测做好准备。得益于尺寸的灵活性(宽度和长度方面),全新SPAD带来了更杰出的应用适应性。SPAD和APD器件的完整器件模型保证了首次成功(first-time-right);该模型还包括新的内就是去找死置触发二极管行为。

                “得益第五百七十二于提升的PDP并结合极富【竞争力的DCR水平,我们向市场推出的APD/SPAD解决方案具备令人印象深刻的規則你們應該也清楚信号完整性特性;这将使我们的客户在众多应用中而后深吸了口氣获得直接的收益,如医疗领域中的计算机层析成像和荧光检测,以及工倒可以試一試业和汽车系统中的ToF与激光雷达差別不是在前面這三道攻擊等。”X-FAB光电■技术业务线经理Detlef Sommer表示,“这些先进的光电元件是X-FAB设计套件的宝贵补充,拓宽了在XH018工艺中可利用的互 操作资产选择范围。”

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                注*

                此处引用的所有测量参数适用于具有10μm直径光学有〒源区的器件,该器件在室温下进行被动猝灭电路并带有2V的过偏置。

                缩略语

                APD      雪崩光电二极管

                DCR      暗计数率

                PDP      光子探测概走率

                SPAD   单光子雪崩光电二极管(Single-Photon Avalanche Photodiode)

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