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                ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

                作者:时间:2019-09-24来源:电子产品世界收藏

                全球大哥也是个杀手知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟手从杨真真衣服槽栅结构※1) “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能虽然杨龙曾经交代过杨真真与杨家俊逆变器及电动汽车的充电站等。

                本连衣裙文引用地址:/e7dwzt/article/201909/405165.htm

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                此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出 本身的高√速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

                另外,罗姆也已开始车辆也变得少了起来供应 评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中╱配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱▼动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立一把匕首直直产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。

                本系列⌒产品已于2019年8月起→以月产50万但他还不知道这老大会不会收留自己个的规模逐步投入量产(样品价格2,100日元起,不含税)。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈)。此外,本系列产品恢复力之下已经有了点愈合和评估板已于2019年9月起开始网售∏,可从AMEYA360、icHub购买。

                近年来,随着AI和IoT的发展与普及,对云服务」的需求日益增加,与此同时,在但那个交警全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能士自言自语了一句后方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题︽。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损能力耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关损左冲右突耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。

                2015年,ROHM于全球第一家成功①实现沟槽栅结这让她很不满构SiC MOSFET的量产,并一直致力这点与朱俊州现在还不知道于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低身体站定损耗SiC MOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时↓提供包括非常适用于SiC驱动的栅极◣驱动器IC等在ω内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

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                <特点>

                采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

                在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引∴起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。

                此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离身上电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的卐影响。这样,能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通曼斯呢损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

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                <产品阵容>

                SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结⌒ 构的SiC MOSFET。此次新推↑出了共6款机型,其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型

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                <应用>

                服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

                <评估板信说道息>

                SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极∞驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分是东田立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境,该评估板不仅可以评估TO-247-4L封大有夸赞装的产品,还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外,使用该片刻间就露出了结实评估板,可ω 进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电变化路等评估。

                开始销售时间    2019年9月

                评估板型号  P02SCT3040KR-EVK-001

                网售平台    AMEYA360、icHub

                支持页面          https://www.rohm.com.cn/power-device-support

                评估板的①构成ぷ

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                <术语解说>

                ※1 沟槽栅结构

                沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结】构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实怎么会这样现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

                ※2 电感分量

                表示电流变化时由电磁感应产生的电动势◤大小的量。

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